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三星量产10nm芯片 GALAXY S8或将首发

2016-10-18 15:02:34 来源:泡泡网原创   作者:

明年的三星GAAXY S8将会用上新款10nm制程处理器已不是什么新鲜话题,而现在则有了进一步的消息。日前,三星官方正式发布新闻稿,宣布宣布全球首次正式量产基于10nm FinFET工艺制程的芯片,并表示将会用在一款计划于2017年发布的产品上。尽管三星并未透露这款明年新品的更多信息,但不出意外的话应该便是传说中的GALAXY S8。

三星量产10nm芯片 GALAXY S8或将首发

量产10nm芯片

根据三星发布的新闻稿显示,全球首个10nm制程工艺芯片将正式投入量产,这将使得三星领先于英特尔和台积电,而成为行业中首个生产10nm制程工艺芯片的厂商。据悉,三星的10nm FinFET采用先进的3D晶体管结构及设计,相比于14nm FinFET,其面积效率提升30%,性能提升27%,功耗降低40%。

三星量产10nm芯片 GALAXY S8或将首发

同时三星还表示为了克服比例限制,此次量产的10nm FinFET的边缘技术依旧延续了之前的三重切削,以保证节点双向链路的灵活性。此外,现在的三星10nm工艺被称为10LPE,也就是早期低功耗版本,而后续的10nm LPP将于明年下半年量产,可用于更高性能的芯片。

GALAXY S8首发

值得一提的是,三星还表示此次量产的10nm芯片将会用到明年初面世的产品上,虽然没有具体披露更多信息,但业内普遍推测传说中的GALAXY S8有可能会首次用到这款10nm制程的芯片。而在此前,则有消息报道称,三星将成为高通高端芯片骁龙830的独家代工厂,而该芯片则使用了10nm制程技术,同时在明年推出的GALAXY S系列新款旗舰上将会有50%将使用该款处理器。

三星量产10nm芯片 GALAXY S8或将首发

除此之外,三星自家的Exynos 8895处理器也同样会采用10nm制程工艺,据称将拥有高达3.0GHz的主频速度,并搭载全新的Mali-G71 GPU, 采用了ARM全新的Bifrost微架构,可提供高端4K和VR体验,同时数据传输速度是现款Exynos 8890的1.8倍,甚至超过了骁龙830的显示性能。当然,这款处理器也会成为GALAXY S8的标准配置之一。

或无4K屏版本

不过,尽管三星在处理器水准上已经提供了对4K显示屏的支持,但即将到来的GALAXY S8却有可能不会提供4K显示屏版本。根据网友@BT2020_10Bit在微博上的爆料称,三星GALSXY S8系列是稳扎稳打的,没有听说过有量产4k小尺寸显示屏的打算。但相比之下,GALAXY S8所具备的4096级压感和TDDI屏幕带来的一体化指纹识别更有竞争力。

除此之外,这位网友还给出了三星GALAXY S8两个版本的部分配置信息,包括5.1英寸版本的GALAXY S8和5.5英寸的GALAXY S8 Plus,都配备的是2K显示屏,至于处理器则毫无悬念是此次量产的10nm制程的骁龙830和Exynos 8895。不过,以上消息皆为网络传闻,但三星GALAXY S8将会首发10nm芯片处理器应该没有什么悬念,据称将于明年2月26日在WMC2017展会上正式登场。

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