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电子元器件:3D NAND存储器研发重大突破

2017-02-18 06:54:12 来源:金融界   作者:未知

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近期,根据中科院微电子所的官网消息,由长江存储和中科院微电子所三维存储器研发中心联合研发的32层3DNANDFlash芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,完成工艺器件和电路设计的整套技术验证。

分析与判断

3D NAND Flash存储器研发取得重要进展,为产业化打下坚实基础

1、从技术角度看,3D NAND Flash存储器产业化面临如下挑战:制造工艺开发(高深刻比刻蚀工艺等)、存储器件单元结构设计、存储器件单元集成、可靠性、NAND阵列架构、存储芯片电路设计等。3DNANDFlash的每个技术挑战都需要投入大量的研发力量去攻克。国内目前已完成工艺器件和电路设计的整套技术方案。

2、我们认为,国内在3D NAND Flash领域取得里程碑式进展,将为下一步的产业化铺平道路,有望缩小与国外同行的技术差距。

?3D NAND Flash属于存储器领域的前沿技术,是存储器的最佳候选方案1、从技术分类看,存储器分为DRAM、NAND Flash、NORflash。全球DRAM和NAND Flash总产值约为存储器总产值的95%。NAND Flash主要分为2D NAND和3D NAND,2D NANDF lash、DRAM技术相对成熟,3D NAND Flash属于半导体存储器前沿领域。三星于2014年率先在全球推出量产的32层

V-NAND闪存,美光于2016年推出32层3DNAND闪存(全球第二家实现3D NAND闪存量产)。国内相对国外技术差距最小的存储器产品是3D NAND Flash。2、我们认为,3D NAND Flash相比2DNAND,在性能、容量、可靠性、成本方面拥有竞争优势(爱基,净值,资讯,将成为存储器的主流技术。

3D NANDF Lash存储器是国内存储器产业崛起的捷径

1、存储器是半导体产业的核心器件,其全球产值约为800亿美元,DRAM市场约为450亿美元,NAND Flash约为300亿美元。2016年,DRAM大部分市场份额被三星、海力士、美光占据,三星、东芝/西数、美光、海力士垄断了NAND Flash市场。中国是全球最大的电子产品生产基地和集散地,占据了全球存储器市场55%的市场份额。

2、我们认为,由于国外竞争对手在DRAM和2D NAND方面拥有大量折旧完的产能,并且DRAM市场增长放缓,所以从技术成熟度、成本角度考虑,3D NAND Flash存储器是国内存储器产业快速发展的捷径。

投资建议

3D NAND存储器研发取得重大突破,有望加速国内存储器产业发展,利好A股相关半导体存储器、材料以及设备标的。重点推荐:兆易创新(行情603986,买入)、深科技(行情000021,买入)、上海新阳(行情300236,买入)、七星电子(行情002371,买入)、太极实业(行情600667,买入)。

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